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Hot electron degradation in DC and RF characteristics of GaAs and InP HEMT 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; M., Borgarino; Cova, Paolo; F., Fantini; A., Santarelli; G., Vannini
Degrado da elettroni caldi nelle caratteristiche DC e RF di HEMT su GaAs e InP 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; M., Borgarino; Cova, Paolo; F., Fantini
A physical model of the behavior of GaAs MESFETs in the linear region 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; Cova, Paolo
Small-signal modeling for microwave FET linear circuits based on a genetic algorithm 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; Piazzi, Aurelio; F., Contini
The effect of hot electron stress on the DC and microwavecharacteristics of AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; Borgarino, M; Cova, Paolo; Baeyens, Y; Fantini, F.
Breakdown walkout in pseudomorphic HEMTs 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; Cova, Paolo; Fantini, F; Canali, C.
Effect of the physical structure on the recovery softness of PIN diodes: experimental and numerical analysis 1-gen-1997 Pasqualetti, M; Portesine, M; Scicolone, R; Zerbinati, B; Menozzi, Roberto; Bellini, A; Cova, Paolo
Reliability and degradation of HEMTs and HBTs 1-gen-1997 Fantini, F; Cova, Paolo; Borgarino, M; Cattani, L; Menozzi, Roberto
A study of hot electron degradation effects in pseudomorphic HEMTs 1-gen-1997 Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; F., Fantini; Pavesi, Maura; G., Meneghesso
The effect of hot electron stress on the DC and microwave characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs 1-gen-1997 Menozzi, Roberto; Borgarino, M; Cova, Paolo; Baeyens, Y; Fantini, F.
On the effects of hot electrons on the DC and RF characteristics of lattice-matched InAlAs/InGaAs/InP HEMT’s 1-gen-1997 Menozzi, Roberto; M., Borgarino; Y., Baeyens; M., Van Hove; F., Fantini
A study of hot-electron degradation effects in pseudomorphic HEMTs 1-gen-1997 Cova, P; Menozzi, R; Fantini, F; Pavesi, M; Meneghesso, G
Caratterizzazione del degrado da elettroni caldi di HEMT su InP 1-gen-1998 Borgarino, M.; Cattani, L.; Cova, P.; Menozzi, R.
Degradation of Be-doped AlGaAs/GaAs HBTs 1-gen-1998 Cattani, L; Borgarino, M; Fantini, F; Cova, P; Menozzi, R
Hot electron and DX center insensitivity of Al0.25Ga0.75As/GaAs HFET’s designed for microwave power applications 1-gen-1998 Menozzi, Roberto; Pavesi, Maura; Manfredi, Manfredo; C., Ghezzi; C., Lanzieri; M., Peroni; C., Canali
Hot electron degradation of the DC and RF characteristics of AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs 1-gen-1998 Borgarino, M; Menozzi, Roberto; Baeyens, Y; Cova, Paolo; Fantini, F.
Reliability issues in compound semiconductor eterojunction devices 1-gen-1998 Fantini, F; Borgarino, M; Cattani, L; Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; Salviati, G; Canali, C; Meneghesso, G; Zanoni, E.
On the correlation between drain and gate currents and light emission in GaAs – PHEMTs biased in the impact ionization regime 1-gen-1998 Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; Pavesi, Maura; S., Pavesi; M., Manfredi; AND F., Fantini
Anomalous overvoltage oscillations in the reverse recovery of power p-i-n diodes: experiments and simulations 1-gen-1999 Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; M., Pasqualetti; M., Portesine; R., Scicolone; B., Zerbinati
Three-terminal off-state breakdown in AlGaAs/GaAs power HFETs: a temperature-dependent analysis of the gate reverse current 1-gen-1999 D., Dieci; Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; C., Lanzieri; G., Meneghesso; C., Canali
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