Three-terminal off-state breakdown in AlGaAs/GaAs power HFETs: a temperature-dependent analysis of the gate reverse current / D., Dieci; Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; C., Lanzieri; G., Meneghesso; C., Canali. - (1999), pp. 47-48. (Intervento presentato al convegno 23rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE'99 tenutosi a Chatteau de Montvillargenne, Chantilly, Francia nel 26-28 maggio 1999).

Three-terminal off-state breakdown in AlGaAs/GaAs power HFETs: a temperature-dependent analysis of the gate reverse current

COVA, Paolo;MENOZZI, Roberto;
1999-01-01

1999
Three-terminal off-state breakdown in AlGaAs/GaAs power HFETs: a temperature-dependent analysis of the gate reverse current / D., Dieci; Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; C., Lanzieri; G., Meneghesso; C., Canali. - (1999), pp. 47-48. (Intervento presentato al convegno 23rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits WOCSDICE'99 tenutosi a Chatteau de Montvillargenne, Chantilly, Francia nel 26-28 maggio 1999).
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