doi: 10.1109/RELPHY.1997.584267
The effect of hot electron stress on the DC and microwave characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs / Menozzi, R., Borgarino, M., Cova, P., Baeyens, Y., Fantini, F.. - 97CH35983:(1997), pp. 242-247. (1997 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS’97) Denver, Colorado, USA Apr. 7-10, 1997).
The effect of hot electron stress on the DC and microwave characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs
MENOZZI, Roberto;COVA, Paolo;
1997-01-01
Abstract
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