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Caratterizzazione della temperatura caratteristica nei laser di pompa a 980 nm InGaAs/GaAs per amplificatori in fibra drogata con Erbio 1-gen-1993 Cova, Paolo
L'affidabilità nei laser di pompa a 980 nm InGaAs/GaAs per amplificatori in fibra drogata con Erbio 1-gen-1993 Cova, Paolo
Test di elettromigrazione su strisce di tipo bamboo: limiti delle strutture di test progettate secondo le regole NIST 1-gen-1993 DE MUNARI, Ilaria; F., Fantini; Cova, Paolo; A., Scorzoni; G. L., Baldini
Very high temperature test of InP-based laser diodes 1-gen-1993 M., Tesauri; Chiorboli, Giovanni; Cova, Paolo; F., Fantini; F., Magistrali; D., Sala
Experimental application of a novel technique to extract gate bias dependentsource and drain parasitic resistances of GaAs MESFETs 1-gen-1993 Menozzi, Roberto; Cova, Paolo; Selmi, L.
Light emission in commercial pseudomorphic HEMTs 1-gen-1994 Menozzi, Roberto; Cova, Paolo; Dallaglio, S; Manfredi, M; Conti, P; Fantini, F.
Light emission spectra of commercial pseudomorphic HEMTs biased in the impact ionization regime 1-gen-1994 Cova, Paolo; Chioato, E; Conti, P; Dallaglio, S; Fantini, F; Manfredi, M; Menozzi, Roberto; Necchi, R.
Band to band recombination peak in the light emission of commercial pseudomorphic HEMTs 1-gen-1995 Menozzi, Roberto; Cova, Paolo; A., Pisano; F., Fantini; Pavesi, Maura; AND P., Conti
Caratterizzazione di HEMT pseudomorfici in condizioni di ionizzazione da impatto e stress da hot-electron 1-gen-1995 Cova, Paolo; Fantini, F; Manfredi, M; Menozzi, Roberto
Misure di rumore in bassa frequenza su HEMT pseudomorfici 1-gen-1995 Cova, Paolo
Tecnologia e affidabilità dei semiconduttori composti 1-gen-1995 F., Fantini; S., Franchi; Cova, Paolo
Reliability of compound semiconductor devices and integrated circuits 1-gen-1995 F., Fantini; Cova, Paolo; S., Franchi
Enhancement and degradation of drain current in pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMT’s induced by hot-electrons 1-gen-1995 Canali, C; Cova, Paolo; DE BORTOLI, E; Fantini, F; Meneghesso, G; Menozzi, Roberto; Zanoni, E.
Hot electron degradation in pseudomorphic HEMTs 1-gen-1995 Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; Fantini, F.
On the temperature and hot electron induced degradation on AlGaAs/InGaAs PM-HEMTs 1-gen-1995 Meneghesso, G; DE BORTOLI, E; Cova, Paolo; Menozzi, Roberto
Hot electron degradation effects in Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As PHEMTs 1-gen-1995 Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; Lacey, D; Bayens, Y; Fantini, F.
A physical model of the behavior of GaAs MESFETs in the linear region 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; Cova, Paolo
DC and RF instability of GaAs-based PHEMTs due to hot electrons 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; Borgarino, M; Cova, Paolo; Baeyens, Y; Pavesi, Maura; Fantini, F.
Caratterizzazione dell'affidabilità di laser per telecomunicazioni a 980 e 1300 nm mediante analisi delle caratteristiche elettriche e dello spettro di emissione sotto soglia 1-gen-1996 Cova, Paolo
Hot electron degradation in DC and RF characteristics of GaAs and InP HEMT 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; M., Borgarino; Cova, Paolo; F., Fantini; A., Santarelli; G., Vannini
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