DC and RF instability of GaAs-based PHEMTs due to hot electrons / Menozzi, Roberto; Borgarino, M; Cova, Paolo; Baeyens, Y; Pavesi, Maura; Fantini, F.. - (1996), pp. 18-21. (Intervento presentato al convegno 1996 GaAs Reliability Workshop tenutosi a Orlando, Florida (USA) nel Nov. 3, 1996).

DC and RF instability of GaAs-based PHEMTs due to hot electrons

MENOZZI, Roberto;COVA, Paolo;PAVESI, Maura;
1996-01-01

1996
DC and RF instability of GaAs-based PHEMTs due to hot electrons / Menozzi, Roberto; Borgarino, M; Cova, Paolo; Baeyens, Y; Pavesi, Maura; Fantini, F.. - (1996), pp. 18-21. (Intervento presentato al convegno 1996 GaAs Reliability Workshop tenutosi a Orlando, Florida (USA) nel Nov. 3, 1996).
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/1650612
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact