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Degrado da elettroni caldi nelle caratteristiche DC e RF di HEMT su GaAs e InP 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; M., Borgarino; Cova, Paolo; F., Fantini
Caratterizzazione ed affidabilità di dispositivi elettronici ed optoelettronici a semiconduttori composti 1-gen-1996 Cova, Paolo
Breakdown walkout in pseudomorphic HEMTs 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; Cova, Paolo; Fantini, F; Canali, C.
The effect of hot electron stress on the DC and microwavecharacteristics of AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; Borgarino, M; Cova, Paolo; Baeyens, Y; Fantini, F.
Trapped charge modulation: a new cause of instability in AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT’s 1-gen-1996 Meneghesso, G; Canali, C; Cova, Paolo; DE BORTOLI, E; Zanoni, E.
A physical model of the behavior of GaAs MESFETs in the linear region 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; Cova, Paolo
Effect of the physical structure on the recovery softness of PIN diodes: experimental and numerical analysis 1-gen-1997 Pasqualetti, M; Portesine, M; Scicolone, R; Zerbinati, B; Menozzi, Roberto; Bellini, A; Cova, Paolo
Caratterizzazione del degrado di laser di pompa a 980 nm mediante elettroluminescenza ed analisi dello spettro di emissione sottosoglia 1-gen-1997 Cova, Paolo; Cucinotta, Annamaria; Pavesi, S; Fukuda, M; Fantini, F; Zoboli, M.
Reliability and degradation of HEMTs and HBTs 1-gen-1997 Fantini, F; Cova, Paolo; Borgarino, M; Cattani, L; Menozzi, Roberto
Validity limits of the results of accelerated life-tests performed on a small sample 1-gen-1997 Cacciari, Mario; Cova, Paolo
Degradation mechanisms in heterostructure devices and their correlations with defect 1-gen-1997 Fantini, F; Salviati, G; Borgarino, M; Cattani, L; Cova, Paolo; Lazzarini, L; ZANOTTI FREGONARA, C.
A study of hot-electron degradation effects in pseudomorphic HEMTs 1-gen-1997 Cova, P; Menozzi, R; Fantini, F; Pavesi, M; Meneghesso, G
Thermo-mechanical structural analysis of a press-packed IGBT 1-gen-1997 Nicoletto, Gianni; Pirondi, Alessandro; Terzi, M; Cova, Paolo; Fantini, F; Camera, A; Pasqualetti, M; Portesine, M; Zani, P. E.
The effect of hot electron stress on the DC and microwave characteristics of GaAs-PHEMTs and InP-HEMTs 1-gen-1997 Menozzi, Roberto; Borgarino, M; Cova, Paolo; Baeyens, Y; Fantini, F.
Correlation between hot-electron light emission and currents in pseudomorphic HEMTs 1-gen-1997 Cova, Paolo; Fantini, F; Manfredi, M.
Analysis of hot electron degradations in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterization 1-gen-1997 Labat, N; Saysset, N; Touboul, A; Danto, Y; Cova, Paolo; Fantini, F.
A study of hot electron degradation effects in pseudomorphic HEMTs 1-gen-1997 Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; F., Fantini; Pavesi, Maura; G., Meneghesso
Thermal characterization of IGBT power modules 1-gen-1997 Cova, Paolo; Ciappa, M; Franceschini, Giovanni; Malberti, P; Fantini, F.
Degradation of Be-doped AlGaAs/GaAs HBTs 1-gen-1998 Cattani, L; Borgarino, M; Fantini, F; Cova, P; Menozzi, R
Misura dell'impedenza termica in moduli di potenza a IGBT 1-gen-1998 Dieci, D; Cova, Paolo; Fantini, F.
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