Enhancement and degradation of drain current in pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMT’s induced by hot-electrons / Canali, C; Cova, Paolo; DE BORTOLI, E; Fantini, F; Meneghesso, G; Menozzi, Roberto; Zanoni, E.. - 95CH3471-0:(1995), pp. 205-210. (Intervento presentato al convegno International Reliability Physics Symposium (IRPS’95) tenutosi a Las Vegas, Nevada (USA) nel Apr. 4-6, 1995).
Enhancement and degradation of drain current in pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMT’s induced by hot-electrons
COVA, Paolo;MENOZZI, Roberto;
1995-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.