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Spatial correlations of DX charges and electron mobility in AlGaAs 1-gen-1993 P. L., Coz; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella
Low-temperature occupation of a donor state resonant with the conduction band in Al0.35Ga0.65As 1-gen-1993 Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Frigeri, P.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Gombia, E.; Mosca, R.
A study of the electrical properties controlled by residual acceptors in gallium antimonide 1-gen-1993 F., Meinardi; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano
Investigation of the charge state of the DX centre through analysis of electron mobility data in AlGaAs 1-gen-1993 Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella
Electron scattering by spatially correlated DX charges 1-gen-1994 Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; V., Dallacasa
Reduction of spatial correlations amongst DX charges owing to capture of photoexcited electrons into a localized donor state in Al0.35Ga0.65As 1-gen-1994 Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella
Coexistence of th DX center and other Si-related electron bound states in AlGaAs 1-gen-1994 Baraldi, Andrea; Frigeri, P.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Gombia, E.; Mosca, R.
Preparation of GaSb by molecular beam epitaxy and electrical and photoluminescence characterization 1-gen-1994 Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Avanzini, V.; Allegri, P.
Influence of the DX center on the transport properties of Si-doped AlxGa1-xAs 1-gen-1995 Parisini, Antonella
Preparation by MBE and study of GaSb-based structures 1-gen-1995 Baraldi, Andrea; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Ghezzi, Carlo; Gombia, E.; Magnanini, Renato; Mosca, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Allegri, P.; Avanzini, V.
Analysis of persistent photoconductivity in sulphur doped GaSb 1-gen-1995 Baraldi, Andrea; Ghezzi, C.; Parisini, Antonella; Hubik, P.; Mares, J. J.; Kristofik, J.
Hall and photo-Hall effect measurements on sulphur-doped GaSb 1-gen-1995 Hubik, P.; Mares, J. J.; Kristofik, J.; Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella
Electrical and photoluminescence properties of undoped GaSb prepared by MBE and Atomic Layer MBE 1-gen-1995 Bosacchi, A.; Franchi, S.; Allegri, P.; Avanzini, V.; Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano
Optical absorption near the fundamental absorption edge in GaSb 1-gen-1995 Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; B., Rotelli; Tarricone, Luciano; A., Bosacchi; S., Franchi
Electron mobility and physical magnetoresistance in n-type GaSb layers grown by molecular beam epitaxy 1-gen-1996 Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Bosacchi, A.; Franchi, S.
Coexistence of the DX center with nonmetastable states of the donor impurity in Si-doped AlxGa1-xAs: effects on the low-temperature electron mobility 1-gen-1996 Baraldi, Andrea; Frigeri, P.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Gombia, E.; Mosca, R.
Control of the n-type doping in AlGaSb:DX center behavior of the Te impurity 1-gen-1997 Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Covucci, G.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Bosacchi, A.; Franchi, S.
Control of the n-type doping in AlxGa1-xSb: DX-center behavior of the Te impurity 1-gen-1997 Baraldi, A; Colonna, F; Covucci, G; Ghezzi, C; Magnanini, R; Parisini, A; Tarricone, L; Bosacchi, A; Franchi, S
Concentration dependence of optical absorption in Tellurium doped GaSb 1-gen-1997 Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Rotelli, B.; Tarricone, L.; Bosacchi, A.; Franchi, S.
A shallow state coexisting with the DX center in Te-doped AlGaSb 1-gen-1998 Baraldi, Andrea; Franchi, S.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano
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