Coexistence of the DX center with nonmetastable states of the donor impurity in Si-doped AlxGa1-xAs: effects on the low-temperature electron mobility / Baraldi, Andrea; Frigeri, P.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Gombia, E.; Mosca, R.. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - 53:(1996), pp. 10715-10727.
Coexistence of the DX center with nonmetastable states of the donor impurity in Si-doped AlxGa1-xAs: effects on the low-temperature electron mobility
BARALDI, Andrea;GHEZZI, Carlo;PARISINI, Antonella;
1996-01-01
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