BARALDI, Andrea

BARALDI, Andrea  

Dipartimento di Scienze Matematiche, Fisiche e Informatiche  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A study by Micro-Raman spectroscopy and FT- IR of ambers and copals 1-gen-2011 A., Casella; Baraldi, Andrea; Bersani, Danilo; Capelletti, Rosanna; Lottici, Pier Paolo
Accuracy of imaging spectroscopy for geologic material identification: analysis of noise effects 1-gen-2002 M. A., Sgavetti; A., Gaibazzi; I., Longhi; Meli, Sandro; C., Giardino; Capelletti, Rosanna; Baraldi, Andrea; M., Crotti
Accuracy of imaging spectroscopy for geologic material identification: analysis of noise effects 1-gen-2002 Sgavetti, M. A.; Gaibazzi, A.; Longhi, I.; Meli, Sandro; Giardino, C.; Capelletti, R.; Baraldi, Andrea; Crotti, M.
Accuracy of imaging spectroscopy for geologic material identification: spectral resolutions and noise effects 1-gen-2001 Sgavetti, M.; Gaibazzi, A.; Longhi, I.; Meli, Sandro; Giardino, C.; Capelletti, R.; Baraldi, Andrea; Crotti, M.
Accuracy of imaging spectroscopy for geologic materials identification: analysis of noise effects. 1-gen-2001 Sgavetti, Maria; Gaibazzi, A.; Longhi, I.; Meli, Sandro; Giardino, C.; Baraldi, Andrea; Capelletti, R.; Crotti, M.
Analysis of electron mobility versus temperature after photoexcitation in Si-doped AlxGa1-xAs 1-gen-1991 Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.
Analysis of persistent photoconductivity in sulphur doped GaSb 1-gen-1995 Baraldi, Andrea; Ghezzi, C.; Parisini, Antonella; Hubik, P.; Mares, J. J.; Kristofik, J.
Assessment of Vegard’s law validity in the Ga1-xAlxSb/GaSb epitaxial system 1-gen-1999 Germini, F.; Bocchi, C.; Ferrari, C.; Franchi, S.; Baraldi, Andrea; Magnanini, Renato; DE SALVADOR, D.; Berti, M.; Drigo, A. V.
Coexistence of th DX center and other Si-related electron bound states in AlGaAs 1-gen-1994 Baraldi, Andrea; Frigeri, P.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Gombia, E.; Mosca, R.
Coexistence of the DX center with nonmetastable states of the donor impurity in Si-doped AlxGa1-xAs: effects on the low-temperature electron mobility 1-gen-1996 Baraldi, Andrea; Frigeri, P.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Gombia, E.; Mosca, R.
Combined impact of B2H6 flow and growth temperature on morphological, structural, optical, and electrical properties of MOCVD-grown B(In)GaAs heterostructures designed for optoelectronics 1-gen-2022 Hidouri, T.; Parisini, A.; Ferrari, C.; Orsi, D.; Baraldi, A.; Vantaggio, S.; Nasr, S.; Bosio, A.; Pavesi, M.; Saidi, F.; Fornari, R.
Composition control of GaSbAs alloys 1-gen-1999 Bosacchi, A.; Franchi, S.; Baraldi, Andrea; Magnanini, Renato; Allegri, P.; Avanzini, V.; Berti, M.; DE SALVADOR, D.
Control of the n-type doping in AlGaSb:DX center behavior of the Te impurity 1-gen-1997 Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Covucci, G.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Bosacchi, A.; Franchi, S.
Crystal field fine spectroscopy of trivalent terbium in yttrium aluminum borate single crystals 1-gen-2010 Baraldi, Andrea; Buffagni, Elisa; Capelletti, Rosanna; Mazzera, Margherita; I., Foldvari; E., Beregi; Magnani, Nicola
Crystal field spectroscopy of Eu3+ doped silica glasses 1-gen-2011 Mazzera, Margherita; Baraldi, Andrea; Buffagni, Elisa; Capelletti, Rosanna; N., Chiodini; F., Moretti; A., Vedda; P., Bohacek
Crystal-field and superposition model analysis of R3+: BaY2F8 1-gen-2002 Magnani, Nicola; Amoretti, Giuseppe; Baraldi, Andrea; Capelletti, Rosanna
A crystal-field study of erbium oxide and fluoride 1-gen-2007 N., Magnani; Baraldi, Andrea; E., Buffagni; Capelletti, Rosanna; M., Mazzera; S., Brovelli; AND A., Lauria
Deep and shallow electronic states associated to doping, contamination and intrinsic defects in ε-Ga2O3 epilayers 1-gen-2022 Parisini, A.; Bosio, A.; von Bardeleben, H. J.; Jimenez, J.; Dadgostar, S.; Pavesi, M.; Baraldi, A.; Vantaggio, S.; Fornari, R.
Effects of composition and catalyst on the optical properties of ZrO2-based Ormosils films 1-gen-2003 Baraldi, A.; Capelletti, R.; Mora, C.; Pavesi, M.; Casalboni, Mauro; Pizzoferrato, R.; Sarcinelli, F.; Prosposito, P.
Electrical and photoluminescence properties of undoped GaSb prepared by MBE and Atomic Layer MBE 1-gen-1995 Bosacchi, A.; Franchi, S.; Allegri, P.; Avanzini, V.; Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano