Analysis of electron mobility versus temperature after photoexcitation in Si-doped AlxGa1-xAs / Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.. - In: APPLIED SURFACE SCIENCE. - ISSN 0169-4332. - 50(1991), pp. 405-409.

Analysis of electron mobility versus temperature after photoexcitation in Si-doped AlxGa1-xAs

BARALDI, Andrea;GHEZZI, Carlo;PARISINI, Antonella;
1991

Analysis of electron mobility versus temperature after photoexcitation in Si-doped AlxGa1-xAs / Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.. - In: APPLIED SURFACE SCIENCE. - ISSN 0169-4332. - 50(1991), pp. 405-409.
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