Analysis of electron mobility versus temperature after photoexcitation in Si-doped AlxGa1-xAs / Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.. - In: APPLIED SURFACE SCIENCE. - ISSN 0169-4332. - 50:(1991), pp. 405-409.

Analysis of electron mobility versus temperature after photoexcitation in Si-doped AlxGa1-xAs

BARALDI, Andrea;GHEZZI, Carlo;PARISINI, Antonella;
1991-01-01

1991
Analysis of electron mobility versus temperature after photoexcitation in Si-doped AlxGa1-xAs / Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.. - In: APPLIED SURFACE SCIENCE. - ISSN 0169-4332. - 50:(1991), pp. 405-409.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/1493012
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 1
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 1
social impact