Coexistence of th DX center and other Si-related electron bound states in AlGaAs / Baraldi, Andrea; Frigeri, P.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Gombia, E.; Mosca, R.. - In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY. - ISSN 0921-5107. - 28:(1994), pp. 412-415.

Coexistence of th DX center and other Si-related electron bound states in AlGaAs

BARALDI, Andrea;GHEZZI, Carlo;PARISINI, Antonella;
1994-01-01

1994
Coexistence of th DX center and other Si-related electron bound states in AlGaAs / Baraldi, Andrea; Frigeri, P.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Gombia, E.; Mosca, R.. - In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY. - ISSN 0921-5107. - 28:(1994), pp. 412-415.
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