Coexistence of th DX center and other Si-related electron bound states in AlGaAs / Baraldi, Andrea; Frigeri, P.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Gombia, E.; Mosca, R.. - In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY. - ISSN 0921-5107. - 28:(1994), pp. 412-415.

Coexistence of th DX center and other Si-related electron bound states in AlGaAs

BARALDI, Andrea;GHEZZI, Carlo;PARISINI, Antonella;
1994-01-01

1994
Coexistence of th DX center and other Si-related electron bound states in AlGaAs / Baraldi, Andrea; Frigeri, P.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Gombia, E.; Mosca, R.. - In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY. - ISSN 0921-5107. - 28:(1994), pp. 412-415.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/2298726
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 2
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact