Electrical and photoluminescence properties of undoped GaSb prepared by MBE and Atomic Layer MBE / Bosacchi, A.; Franchi, S.; Allegri, P.; Avanzini, V.; Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 150:(1995), pp. 844-848. [10.1016/0022-0248(95)80058-K]

Electrical and photoluminescence properties of undoped GaSb prepared by MBE and Atomic Layer MBE

BARALDI, Andrea;GHEZZI, Carlo;MAGNANINI, Renato;PARISINI, Antonella;TARRICONE, Luciano
1995-01-01

1995
Electrical and photoluminescence properties of undoped GaSb prepared by MBE and Atomic Layer MBE / Bosacchi, A.; Franchi, S.; Allegri, P.; Avanzini, V.; Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 150:(1995), pp. 844-848. [10.1016/0022-0248(95)80058-K]
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/1492986
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 30
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 29
social impact