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TARRICONE, Luciano

TARRICONE, Luciano  

Dipartimento di Fisica e Scienze della Terra "Macedonio Melloni" (attivo dal 20/07/2012 al 31/12/2016)  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
"Admittance spectroscopy of InGaP/GaAs MQW structures” 1-gen-2007 E., Gombia; C., Ghezzi; A., Parigini; Tarricone, Luciano; M., Longo
"Electrical and optical properties of Si-doped InGaP layers grown by LP-MOVPE width TBAs and TBP" 1-gen-2008 R., Jakomin; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; S., Vantaggio; B., Fraboni
"Groowth and characterization of manganese-doped InAsP" 1-gen-2008 M., Pristovsek; C., Meissner; M., Kneissl; R., Jakomin; S., Vantaggio; Tarricone, Luciano
"Tailoring the depth of the Mn acceptor in InAsP" 1-gen-2008 M., Pristovsek; C., Meissner; M., Kneissl; R., Jakomin; S., Vantaggio; Tarricone, Luciano
A shallow state coexisting with the DX center in Te-doped AlGaSb 1-gen-1998 Baraldi, Andrea; Franchi, S.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano
A study of the electrical properties controlled by residual acceptors in gallium antimonide 1-gen-1993 F., Meinardi; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano
Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQW structures 1-gen-2008 E., Gombia; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; M., Longo
Anomalies in the temperature dependence of the photoelectrical response of GaAs/InGaP superlattices 1-gen-2010 Parisini, Antonella; Ghezzi, Carlo; Tarricone, Luciano; Vantaggio, Salvatore; M., Baldini; E., Gombia
CdIn2S2Se2: a new semiconducting compound 1-gen-1986 C., Paracchini; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano
Concentration dependence of optical absorption in Tellurium doped GaSb 1-gen-1997 Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Rotelli, B.; Tarricone, L.; Bosacchi, A.; Franchi, S.
Control of the n-type doping in AlGaSb:DX center behavior of the Te impurity 1-gen-1997 Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Covucci, G.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Bosacchi, A.; Franchi, S.
Control of the n-type doping in AlxGa1-xSb: DX-center behavior of the Te impurity 1-gen-1997 Baraldi, A; Colonna, F; Covucci, G; Ghezzi, C; Magnanini, R; Parisini, A; Tarricone, L; Bosacchi, A; Franchi, S
Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs 1-gen-2003 Longo, M; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Carbognani, A; Bocchi, C; Gombia, E.
Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs 1-gen-2002 A., Carbognani; M., Longo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; E., Gombia
Determination of the valence band offset of MOVPE-grown InGaP/GaAs multiple quantum wells by admittance spectroscopy 1-gen-2008 Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; E., Gombia; M., Longo
Effect of the growth sequence on the properties of InGaP/GaAs/InGaP quantum wells grown by LP-MOVPE from group-V mtallorganic source 1-gen-2004 Begotti, L; Longo, Massimo; Magnanini, R; Parisini, A; Tarricone, L.; Bocchi, C; Germini, Fabrizio; Lazzarini, Laura; Nasi, L; Geddo, M
Effects of inhomogeneities and ordering in InGaP/GaAs system grown by MOVPE 1-gen-2000 Attolini, G.; Bocchi, C.; Germini, F.; Pelosi, C.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Kudela, R.; Hasenohrl, S.
Electrical activation of Fe impurities introduced in III-V semiconductors by high temperature ion implantation 1-gen-2006 Cesca, T; Verna, A; Mattei, G; Gasparotto, A; Fraboni, B; Impellizzeri, G; Priolo, F; Tarricone, Luciano; Longo, M.
Electrical and interfacial properties of GaAs/GaSb metal-organic vapour phase epitaxy heterostructures 1-gen-2013 Parisini, Antonella; M., Baldini; E., Gombia; C., Frigeri; R., Jakomin; Tarricone, Luciano
ELECTRICAL AND PHOTOELECTRICAL PROPERTIES OF A GaAs-BASED p-i-n STRUCTURE GROWN BY MOVPE 1-gen-2005 Begotti, M.; Tarricone, Luciano; Mosca, R. LYNCH M.; Barnham, K.; Mazzer, M.; Hill, G.