Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs / Longo, M; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Carbognani, A; Bocchi, C; Gombia, E.. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 248:(2003), pp. 119-123.

Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs

MAGNANINI, Renato;PARISINI, Antonella;TARRICONE, Luciano;
2003-01-01

2003
Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs / Longo, M; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Carbognani, A; Bocchi, C; Gombia, E.. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 248:(2003), pp. 119-123.
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