"Electrical and optical properties of Si-doped InGaP layers grown by LP-MOVPE width TBAs and TBP" / R., Jakomin; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; S., Vantaggio; B., Fraboni. - (2008), pp. 351-352. (Intervento presentato al convegno 14th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy tenutosi a Metz, France nel 1-6 June 2008).
"Electrical and optical properties of Si-doped InGaP layers grown by LP-MOVPE width TBAs and TBP"
PARISINI, Antonella;TARRICONE, Luciano;
2008-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.