Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs / A., C., M., L., Magnanini, R., Parisini, A., Tarricone, L., E., G.. - Abstract book, Mon-P9,:(2002), p. 82. (IC-MOVPE XI Berlin - Germany June 2002).
Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
MAGNANINI, Renato;PARISINI, Antonella;TARRICONE, Luciano;
2002-01-01
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