Electron mobility and physical magnetoresistance in n-type GaSb layers grown by molecular beam epitaxy / Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Bosacchi, A.; Franchi, S.. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - 11:(1996), pp. 1656-1667.
Electron mobility and physical magnetoresistance in n-type GaSb layers grown by molecular beam epitaxy
BARALDI, Andrea;GHEZZI, Carlo;MAGNANINI, Renato;PARISINI, Antonella;TARRICONE, Luciano;
1996-01-01
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