Influence of the DX center on the transport properties of Si-doped AlxGa1-xAs / Parisini, Antonella. - In: DIFFUSION AND DEFECT DATA, SOLID STATE DATA. PART A, DEFECT AND DIFFUSION FORUM. - ISSN 1012-0386. - 123-124:(1995), pp. 77-122. [10.4028/www.scientific.net/DDF.123-124.77]

Influence of the DX center on the transport properties of Si-doped AlxGa1-xAs

PARISINI, Antonella
1995-01-01

1995
Influence of the DX center on the transport properties of Si-doped AlxGa1-xAs / Parisini, Antonella. - In: DIFFUSION AND DEFECT DATA, SOLID STATE DATA. PART A, DEFECT AND DIFFUSION FORUM. - ISSN 1012-0386. - 123-124:(1995), pp. 77-122. [10.4028/www.scientific.net/DDF.123-124.77]
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/2411560
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact