Low-temperature occupation of a donor state resonant with the conduction band in Al0.35Ga0.65As / Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Frigeri, P.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Gombia, E.; Mosca, R.. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - 48:(1993), pp. 17835-17840.

Low-temperature occupation of a donor state resonant with the conduction band in Al0.35Ga0.65As

BARALDI, Andrea;GHEZZI, Carlo;PARISINI, Antonella;
1993-01-01

1993
Low-temperature occupation of a donor state resonant with the conduction band in Al0.35Ga0.65As / Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Frigeri, P.; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Gombia, E.; Mosca, R.. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - 48:(1993), pp. 17835-17840.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/1493004
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 4
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 4
social impact