BORELLI, CARMINE
 Distribuzione geografica
Continente #
EU - Europa 266
NA - Nord America 164
AS - Asia 78
AF - Africa 4
SA - Sud America 1
Totale 513
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 160
IT - Italia 120
IE - Irlanda 37
SG - Singapore 33
CN - Cina 31
FR - Francia 31
SE - Svezia 18
DE - Germania 14
NL - Olanda 14
FI - Finlandia 7
TR - Turchia 6
BE - Belgio 4
CA - Canada 4
JP - Giappone 4
CH - Svizzera 3
CZ - Repubblica Ceca 3
NG - Nigeria 3
RU - Federazione Russa 3
AT - Austria 2
GB - Regno Unito 2
KR - Corea 2
PT - Portogallo 2
RO - Romania 2
UA - Ucraina 2
BR - Brasile 1
CI - Costa d'Avorio 1
LA - Repubblica Popolare Democratica del Laos 1
LV - Lettonia 1
PL - Polonia 1
TM - Turkmenistan 1
Totale 513
Città #
Parma 40
Dublin 37
Ann Arbor 33
Chandler 28
Singapore 28
Milan 25
Strasbourg 20
Shanghai 16
Ashburn 13
Boardman 13
Marseille 9
Beijing 7
Helsinki 7
Segrate 5
Chicago 4
Dronten 4
Kocaeli 4
New York 4
Brno 3
Houston 3
Lagos 3
Menlo Park 3
Munich 3
Ottawa 3
Princeton 3
Reggio Nell'emilia 3
Seattle 3
Bremen 2
Brussels 2
Corroios 2
Frankfurt am Main 2
Fremont 2
Ghent 2
Glasgow 2
Guangzhou 2
Istanbul 2
Jacksonville 2
Jinju 2
Kilchberg 2
Legnano 2
Meppel 2
Piacenza 2
Reggio Emilia 2
Rome 2
Savona 2
Tokyo 2
Tomsk 2
Vanzago 2
Vienna 2
Wilmington 2
Abidjan 1
Amsterdam 1
Arcene 1
Ashgabat 1
Basel 1
Bergamo 1
Cremona 1
Crotone 1
Dallas 1
Dziecinow 1
Englewood 1
Fairfield 1
Grafing 1
Hangzhou 1
Huskvarna 1
Laveno-Mombello 1
Leiden 1
Los Angeles 1
Phoenix 1
Riga 1
Rio de Janeiro 1
Robecco Pavese 1
Sacramento 1
Spilamberto 1
Taiyuan 1
Tappahannock 1
Toronto 1
Vientiane 1
West Columbia 1
Totale 399
Nome #
A Metal-Oxide Contact to ε-Ga2O3 Epitaxial Films and Relevant Conduction Mechanism 140
n-Type doping of ε-Ga2O3 epilayers by high-temperature tin diffusion 91
Silane‐Mediated Expansion of Domains in Si‐Doped κ‐Ga2O3 Epitaxy and its Impact on the In‐Plane Electronic Conduction 85
Study of SnO/ɛ-Ga2O3 p–n diodes in planar geometry 84
Electronic properties and photo-gain of UV-C photodetectors based on high-resistivity orthorhombic κ-Ga2O3 epilayers 61
Interfacial Properties of the SnO/κ-Ga2O3 p-n Heterojunction: A Case of Subsurface Doping Density Reduction via Thermal Treatment in κ-Ga2O3 59
Engineering shallow and deep level defects in κ-Ga2O3 thin films: comparing metal-organic vapour phase epitaxy to molecular beam epitaxy and the effect of annealing treatments 24
Totale 544
Categoria #
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book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.978


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2019/202021 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 21 0
2020/202157 0 0 0 3 2 10 0 9 9 15 5 4
2021/202253 8 9 0 0 1 2 2 2 1 2 1 25
2022/2023183 25 13 10 13 24 17 15 5 42 4 11 4
2023/2024143 9 8 6 19 5 22 8 11 12 10 8 25
2024/202587 10 8 9 28 32 0 0 0 0 0 0 0
Totale 544