Engineering shallow and deep level defects in κ-Ga2O3 thin films: comparing metal-organic vapour phase epitaxy to molecular beam epitaxy and the effect of annealing treatments / Mazzolini, P., Varley, J.B., Parisini, A., Sacchi, A., Pavesi, M., Bosio, A., Bosi, M., Seravalli, L., Janzen, B.M., Marggraf, M.N., Bernhardt, N., Wagner, M.R., Ardenghi, A., Bierwagen, O., Falkenstein, A., Kler, J., De Souza, R.A., Martin, M., Mezzadri, F., Borelli, C., et al.. - In: MATERIALS TODAY PHYSICS. - ISSN 2542-5293. - 45:(2024). [10.1016/j.mtphys.2024.101463]
Engineering shallow and deep level defects in κ-Ga2O3 thin films: comparing metal-organic vapour phase epitaxy to molecular beam epitaxy and the effect of annealing treatments
Mazzolini, P.
;Parisini, A.;Sacchi, A.;Pavesi, M.;Bosio, A.;Mezzadri, F.;Borelli, C.;Fornari, R.
2024-01-01
File in questo prodotto:
| File | Dimensione | Formato | |
|---|---|---|---|
|
Mazzolini et al. - 2024 - Engineering shallow and deep level defects in κ-Ga.pdf
accesso aperto
Tipologia:
Versione (PDF) editoriale
Licenza:
Creative commons
Dimensione
7.58 MB
Formato
Adobe PDF
|
7.58 MB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
