Engineering shallow and deep level defects in κ-Ga2O3 thin films: comparing metal-organic vapour phase epitaxy to molecular beam epitaxy and the effect of annealing treatments / Mazzolini, P.; Varley, J. B.; Parisini, A.; Sacchi, A.; Pavesi, M.; Bosio, A.; Bosi, M.; Seravalli, L.; Janzen, B. M.; Marggraf, M. N.; Bernhardt, N.; Wagner, M. R.; Ardenghi, A.; Bierwagen, O.; Falkenstein, A.; Kler, J.; De Souza, R. A.; Martin, M.; Mezzadri, F.; Borelli, C.; Fornari, R.. - In: MATERIALS TODAY PHYSICS. - ISSN 2542-5293. - 45:(2024). [10.1016/j.mtphys.2024.101463]
Engineering shallow and deep level defects in κ-Ga2O3 thin films: comparing metal-organic vapour phase epitaxy to molecular beam epitaxy and the effect of annealing treatments
Mazzolini, P.
;Parisini, A.;Sacchi, A.;Pavesi, M.;Bosio, A.;Mezzadri, F.;Borelli, C.;Fornari, R.
2024-01-01
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