Electronic properties and photo-gain of UV-C photodetectors based on high-resistivity orthorhombic κ-Ga2O3 epilayers / Borelli, Carmine; Bosio, Alessio; Parisini, Antonella; Pavesi, Maura; Vantaggio, Salvatore; Fornari, Roberto. - In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY. - ISSN 0921-5107. - 286:(2022). [10.1016/j.mseb.2022.116056]
Electronic properties and photo-gain of UV-C photodetectors based on high-resistivity orthorhombic κ-Ga2O3 epilayers
Borelli, CarmineMembro del Collaboration Group
;Bosio, AlessioMembro del Collaboration Group
;Parisini, Antonella
Membro del Collaboration Group
;Pavesi, MauraMembro del Collaboration Group
;Vantaggio, SalvatoreMembro del Collaboration Group
;Fornari, RobertoMembro del Collaboration Group
2022-01-01
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