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Silane‐Mediated Expansion of Domains in Si‐Doped κ‐Ga2O3 Epitaxy and its Impact on the In‐Plane Electronic Conduction / Mazzolini, P., Fogarassy, Z., Parisini, A., Mezzadri, F., Diercks, D., Bosi, M., Seravalli, L., Sacchi, A., Spaggiari, G., Bersani, D., Bierwagen, O., Janzen, B.M., Marggraf, M.N., Wagner, M.R., Cora, I., Pécz, B., Tahraoui, A., Bosio, A., Borelli, C., Leone, S., et al.. - In: ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS. - ISSN 1616-301X. - 33:(2023). [10.1002/adfm.202207821]

Silane‐Mediated Expansion of Domains in Si‐Doped κ‐Ga2O3 Epitaxy and its Impact on the In‐Plane Electronic Conduction

Mazzolini, Piero
Funding Acquisition
;Parisini, Antonella;Mezzadri, Francesco;Sacchi, Anna;Spaggiari, Giulia;Bersani, Danilo;Bosio, Alessio;Borelli, Carmine;Fornari, Roberto
2023-01-01
2023
Silane‐Mediated Expansion of Domains in Si‐Doped κ‐Ga2O3 Epitaxy and its Impact on the In‐Plane Electronic Conduction / Mazzolini, P., Fogarassy, Z., Parisini, A., Mezzadri, F., Diercks, D., Bosi, M., Seravalli, L., Sacchi, A., Spaggiari, G., Bersani, D., Bierwagen, O., Janzen, B.M., Marggraf, M.N., Wagner, M.R., Cora, I., Pécz, B., Tahraoui, A., Bosio, A., Borelli, C., Leone, S., et al.. - In: ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS. - ISSN 1616-301X. - 33:(2023). [10.1002/adfm.202207821]
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