Silane‐Mediated Expansion of Domains in Si‐Doped κ‐Ga2O3 Epitaxy and its Impact on the In‐Plane Electronic Conduction / Mazzolini, Piero; Fogarassy, Zsolt; Parisini, Antonella; Mezzadri, Francesco; Diercks, David; Bosi, Matteo; Seravalli, Luca; Sacchi, Anna; Spaggiari, Giulia; Bersani, Danilo; Bierwagen, Oliver; Janzen, Benjamin Moritz; Marggraf, Marcella Naomi; Wagner, Markus R.; Cora, Ildiko; Pécz, Béla; Tahraoui, Abbes; Bosio, Alessio; Borelli, Carmine; Leone, Stefano; Fornari, Roberto. - In: ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS. - ISSN 1616-301X. - 33:(2023), p. 2207821. [10.1002/adfm.202207821]
Silane‐Mediated Expansion of Domains in Si‐Doped κ‐Ga2O3 Epitaxy and its Impact on the In‐Plane Electronic Conduction
Mazzolini, Piero
Funding Acquisition
;Parisini, Antonella;Mezzadri, Francesco;Sacchi, Anna;Spaggiari, Giulia;Bersani, Danilo;Bosio, Alessio;Borelli, Carmine;Fornari, Roberto
2023-01-01
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