Occupancy level of the DX center in Te-doped AlxGa1-xSb / Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Magnanini, Renato; Tarricone, Luciano; Franchi, S.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 85:(1999), pp. 256-263.
Occupancy level of the DX center in Te-doped AlxGa1-xSb
BARALDI, Andrea;GHEZZI, Carlo;PARISINI, Antonella;MAGNANINI, Renato;TARRICONE, Luciano;
1999-01-01
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