GORNI, Marco
 Distribuzione geografica
Continente #
NA - Nord America 220
AS - Asia 169
EU - Europa 153
SA - Sud America 20
AF - Africa 5
OC - Oceania 1
Totale 568
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 216
SG - Singapore 77
CN - Cina 49
SE - Svezia 31
IE - Irlanda 28
FI - Finlandia 24
IT - Italia 20
HK - Hong Kong 17
BR - Brasile 14
DE - Germania 14
TR - Turchia 13
FR - Francia 10
VN - Vietnam 6
NL - Olanda 5
ZA - Sudafrica 5
CZ - Repubblica Ceca 4
GB - Regno Unito 4
EC - Ecuador 3
MX - Messico 3
PL - Polonia 3
RU - Federazione Russa 3
PK - Pakistan 2
UZ - Uzbekistan 2
AF - Afghanistan, Repubblica islamica di 1
AL - Albania 1
AR - Argentina 1
AU - Australia 1
BE - Belgio 1
CA - Canada 1
CO - Colombia 1
DK - Danimarca 1
EE - Estonia 1
ID - Indonesia 1
IL - Israele 1
NO - Norvegia 1
RO - Romania 1
SK - Slovacchia (Repubblica Slovacca) 1
VE - Venezuela 1
Totale 568
Città #
Singapore 42
Chandler 38
Ashburn 36
Dublin 28
Santa Clara 23
Hong Kong 17
Munich 13
Beijing 11
Dallas 11
Boardman 10
Strasbourg 10
Parma 9
Helsinki 8
Kocaeli 8
Shanghai 8
Los Angeles 7
Johannesburg 5
New York 5
Princeton 5
Dearborn 4
Izmir 4
Boston 3
Brno 3
Buffalo 3
Chengdu 3
Columbus 3
Jiaxing 3
Moscow 3
Nanjing 3
Tianjin 3
Valsamoggia 3
Warsaw 3
Wilmington 3
Abbiategrasso 2
Ann Arbor 2
Florence 2
Guayaquil 2
Hebei 2
Ho Chi Minh City 2
Orem 2
Phoenix 2
Prato 2
São Paulo 2
Tashkent 2
Ankara 1
Arad 1
Basmat Tab'un 1
Biên Hòa 1
Borås 1
Bratislava 1
Brooklyn 1
Brussels 1
Bujaru 1
Campinas 1
Caracas 1
Caxias do Sul 1
Changsha 1
Charlotte 1
City of London 1
Copenhagen 1
Daule 1
Dongguan 1
Frankfurt am Main 1
Fremont 1
Goianira 1
Goiânia 1
Guangzhou 1
Guarulhos 1
Haiphong 1
Hanoi 1
Hải Dương 1
Jaboatão dos Guararapes 1
Jakarta 1
Kabul 1
Kansas City 1
Karachi 1
Lahore 1
Lanzhou 1
London 1
Manassas 1
Medellín 1
Mexico City 1
Milan 1
Monterrey 1
Ningbo 1
Nova Petrópolis 1
Olomouc 1
Ourinhos 1
Palmeiras de Goiás 1
Poplar 1
Porto Alegre 1
Porto Velho 1
Querétaro 1
Redwood City 1
Reggio Emilia 1
San Mateo 1
Sydney 1
Tallinn 1
Toronto 1
Turku 1
Totale 416
Nome #
Admittance spectroscopy on buried GaSb junctions due to defect distribution in GaAs/GaSb metalorganic vapor phase epitaxy heterostructures 136
1950°C post implantation annealing of Al+ implanted 4H-SiC: Relevance of the annealing time 126
Electrical characterization of a buried GaSb p-n junction controlled by native defects 122
Ion Implanted Phosphorous for 4H-SiC VDMOSFETs Source Regions: Effect of the Post Implantation Annealing Time 112
Remarks on the room temperature impurity band conduction in heavily Al+ implanted 4H-SiC 83
Totale 579
Categoria #
all - tutte 2.100
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 2.100


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2020/202120 0 0 0 0 0 4 1 1 6 8 0 0
2021/202217 0 0 0 4 1 0 1 2 1 0 1 7
2022/2023133 19 17 10 12 9 13 0 10 41 0 2 0
2023/202437 1 5 1 2 2 11 4 1 2 2 1 5
2024/2025136 5 6 5 8 12 21 3 1 22 11 13 29
2025/2026175 36 18 29 24 53 15 0 0 0 0 0 0
Totale 579