Admittance spectroscopy on buried GaSb junctions due to defect distribution in GaAs/GaSb metalorganic vapor phase epitaxy heterostructures / M., Baldini; Gombia, Enos; Parisini, Antonella; Ghezzi, Carlo; Gorni, Marco. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 114:(2013), pp. 133706-1-133706-7. [10.1063/1.4824284]

Admittance spectroscopy on buried GaSb junctions due to defect distribution in GaAs/GaSb metalorganic vapor phase epitaxy heterostructures

GOMBIA, Enos;PARISINI, Antonella;GHEZZI, Carlo;GORNI, Marco
2013

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