GORNI, Marco

GORNI, Marco  

Dipartimento di Chimica (attivo dal 20/07/2012 al 31/12/2016)  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
1950°C post implantation annealing of Al+ implanted 4H-SiC: Relevance of the annealing time 1-gen-2016 Fedeli, Paolo; Gorni, M.; Carnera, A.; Parisini, Antonella; Alfieri, G.; Grossner, U.; Nipoti, R.
Admittance spectroscopy on buried GaSb junctions due to defect distribution in GaAs/GaSb metalorganic vapor phase epitaxy heterostructures 1-gen-2013 M., Baldini; Gombia, Enos; Parisini, Antonella; Ghezzi, Carlo; Gorni, Marco
Electrical characterization of a buried GaSb p-n junction controlled by native defects 1-gen-2014 Gorni, Marco; Parisini, Antonella; Gombia, Enos; Baldini, M; Vantaggio, Salvatore; Ghezzi, Carlo
Ion Implanted Phosphorous for 4H-SiC VDMOSFETs Source Regions: Effect of the Post Implantation Annealing Time 1-gen-2020 Nipoti, Roberta; Parisini, Antonella; Boldrini, Virginia; Vantaggio, Salvatore; Gorni, Marco; Canino, Mariaconcetta; Pizzochero, Giulio; Camarda, Massimo; Woerle, Judith; Grossner, Ulrike
Remarks on the room temperature impurity band conduction in heavily Al+ implanted 4H-SiC 1-gen-2015 Parisini, Antonella; Gorni, Marco; Nath, A.; Belsito, L.; Rao, Mulpuri V.; Nipoti, R.