Ion Implanted Phosphorous for 4H-SiC VDMOSFETs Source Regions: Effect of the Post Implantation Annealing Time / Nipoti, Roberta; Parisini, Antonella; Boldrini, Virginia; Vantaggio, Salvatore; Gorni, Marco; Canino, Mariaconcetta; Pizzochero, Giulio; Camarda, Massimo; Woerle, Judith; Grossner, Ulrike. - 1004:(2020), pp. 698-704. (Intervento presentato al convegno 18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019) [10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.698].
Ion Implanted Phosphorous for 4H-SiC VDMOSFETs Source Regions: Effect of the Post Implantation Annealing Time
Parisini, Antonella;Vantaggio, Salvatore;Gorni, Marco;
2020-01-01
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