Ion Implanted Phosphorous for 4H-SiC VDMOSFETs Source Regions: Effect of the Post Implantation Annealing Time / Nipoti, R., Parisini, A., Boldrini, V., Vantaggio, S., Gorni, M., Canino, M., Pizzochero, G., Camarda, M., Woerle, J., Grossner, U.. - 1004:(2020), pp. 698-704. (18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 ) [10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.698].

Ion Implanted Phosphorous for 4H-SiC VDMOSFETs Source Regions: Effect of the Post Implantation Annealing Time

Parisini, Antonella;Vantaggio, Salvatore;Gorni, Marco;
2020-01-01

2020
Ion Implanted Phosphorous for 4H-SiC VDMOSFETs Source Regions: Effect of the Post Implantation Annealing Time / Nipoti, R., Parisini, A., Boldrini, V., Vantaggio, S., Gorni, M., Canino, M., Pizzochero, G., Camarda, M., Woerle, J., Grossner, U.. - 1004:(2020), pp. 698-704. (18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 ) [10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.698].
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