Assessment of Trapping Phenomena in As‐Grown and Thermally‐Treated Si‐Doped κ‐Ga2O3 Layers via Optical Admittance Spectroscopy / Rajabi Kalvani, Payam; Parisini, Antonella; Pavesi, Maura; Mattei, Francesco; Mazzolini, Piero; Egbo, Kingsley; Bierwagen, Oliver; Moumen, Abderrahim; Vantaggio, Salvatore; Shapouri, Samaneh; Bosi, Matteo; Seravalli, Luca; Fornari, Roberto. - In: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 2199-160X. - (2025). [10.1002/aelm.202500072]
Assessment of Trapping Phenomena in As‐Grown and Thermally‐Treated Si‐Doped κ‐Ga2O3 Layers via Optical Admittance Spectroscopy
Rajabi Kalvani, Payam;Parisini, Antonella;Pavesi, Maura;Mattei, Francesco;Mazzolini, Piero;Moumen, Abderrahim;Vantaggio, Salvatore;Shapouri, Samaneh;Bosi, Matteo;Fornari, Roberto
2025-01-01
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