Assessment of Trapping Phenomena in As‐Grown and Thermally‐Treated Si‐Doped κ‐Ga2O3 Layers via Optical Admittance Spectroscopy / Rajabi Kalvani, P., Parisini, A., Pavesi, M., Mattei, F., Mazzolini, P., Egbo, K., Bierwagen, O., Moumen, A., Vantaggio, S., Shapouri, S., Bosi, M., Seravalli, L., Fornari, R.. - In: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 2199-160X. - (2025). [10.1002/aelm.202500072]

Assessment of Trapping Phenomena in As‐Grown and Thermally‐Treated Si‐Doped κ‐Ga2O3 Layers via Optical Admittance Spectroscopy

Rajabi Kalvani, Payam;Parisini, Antonella;Pavesi, Maura;Mattei, Francesco;Mazzolini, Piero;Moumen, Abderrahim;Vantaggio, Salvatore;Shapouri, Samaneh;Bosi, Matteo;Fornari, Roberto
2025-01-01

2025
Assessment of Trapping Phenomena in As‐Grown and Thermally‐Treated Si‐Doped κ‐Ga2O3 Layers via Optical Admittance Spectroscopy / Rajabi Kalvani, P., Parisini, A., Pavesi, M., Mattei, F., Mazzolini, P., Egbo, K., Bierwagen, O., Moumen, A., Vantaggio, S., Shapouri, S., Bosi, M., Seravalli, L., Fornari, R.. - In: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 2199-160X. - (2025). [10.1002/aelm.202500072]
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