BOSI, Matteo

BOSI, Matteo  

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Characterization of GaN/InGaN hetero-structures by Raman spectroscopy, PL and CL 1-gen-2003 Bosi, M.; Fornari, R.; Scardova, S.; Avella, M.; Martinez, O.; Jimenez, J.
Characterization of GaN/InGaN hetero-structures by SEM and CL 1-gen-2002 Fornari, R.; Bosi, M.; Avella, M.; Martin, E.; Jimenez, J.
Crystal structure and ferroelectric properties of ϵ-Ga2O3 films grown on (0001)-sapphire 1-gen-2016 Mezzadri, Francesco; Calestani, Gianluca; Boschi, Francesco; Delmonte, Davide; Bosi, Matteo; Fornari, Roberto
Effect of a halogen-based precursor on dopant incorporation in 3C-SiC film epitaxy 1-gen-2017 Negri, Marco; Bosi, Matteo; Orsi, Davide; Rimoldi, Tiziano; Attolini, Giovanni; Buffagni, Elisa; Ferrari, Claudio; Cristofolini, Luigi; Salviati, Giancarlo
Gallium Oxide: A Rising Star in The Semiconductor Realm 1-gen-2019 Bosi, Matteo; Fornari, Roberto
Hetero-epitaxy of ε-Ga2O3 layers by MOCVD and ALD 1-gen-2016 Boschi, Francesco; Bosi, Matteo; Berzina, Tatiana; Buffagni, Elisa; Ferrari, Claudio; Fornari, Roberto
HeteroSiC & WASMPE 2013 1-gen-2015 Bosi, Matteo; Attolini, Giovanni; Negri, Marco; Frigeri, Cesare; Buffagni, Elisa; Ferrari, Claudio; Rimoldi, Tiziano; Cristofolini, Luigi; Aversa, Lucrezia; Tatti, Roberta; Verucchi, Roberto
The real structure of ε-Ga2O3 and its relation to κ-phase 1-gen-2017 Cora, Ildikó; Mezzadri, Francesco; Boschi, Francesco; Bosi, Matteo; Čaplovičová, Maria; Calestani, Gianluca; Dódony, István; Pécz, Béla; Fornari, Roberto
Si and Sn doping of ε-Ga2O3 layers 1-gen-2019 Parisini, A.; Bosio, A.; Montedoro, V.; Gorreri, A.; Lamperti, A.; Bosi, M.; Garulli, G.; Vantaggio, S.; Fornari, R.
Thermodynamic and Kinetic Effects on the Nucleation and Growth of ε/κ- or β-Ga2O3 by Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy 1-gen-2021 Bosi, Matteo; Seravalli, Luca; Mazzolini, Piero; Mezzadri, Francesco; Fornari, Roberto