Si and Sn doping of ε-Ga2O3 layers / Parisini, A.; Bosio, A.; Montedoro, V.; Gorreri, A.; Lamperti, A.; Bosi, M.; Garulli, G.; Vantaggio, S.; Fornari, R.. - In: APL MATERIALS. - ISSN 2166-532X. - 7:3(2019), pp. 031114-031114-1. [10.1063/1.5050982]

Si and Sn doping of ε-Ga2O3 layers

Parisini, A.;Bosio, A.;Montedoro, V.;Gorreri, A.;Bosi, M.;Vantaggio, S.;Fornari, R.
2019-01-01

Si and Sn doping of ε-Ga2O3 layers / Parisini, A.; Bosio, A.; Montedoro, V.; Gorreri, A.; Lamperti, A.; Bosi, M.; Garulli, G.; Vantaggio, S.; Fornari, R.. - In: APL MATERIALS. - ISSN 2166-532X. - 7:3(2019), pp. 031114-031114-1. [10.1063/1.5050982]
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/2857283
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 33
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 27
social impact