Si and Sn doping of ε-Ga2O3 layers / Parisini, A., Bosio, A., Montedoro, V., Gorreri, A., Lamperti, A., Bosi, M., Garulli, G., Vantaggio, S., Fornari, R.. - In: APL MATERIALS. - ISSN 2166-532X. - 7:3(2019), pp. 031114-031114-1. [10.1063/1.5050982]
Si and Sn doping of ε-Ga2O3 layers
Parisini, A.;Bosio, A.;Montedoro, V.;Gorreri, A.;Bosi, M.;Garulli, G.;Vantaggio, S.;Fornari, R.
2019-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
