Vertical transport through GaAs/InGaP multi-quantum-well p-i-n diode with evidence of tunneling effects / E., Gombia; Parisini, Antonella; Ghezzi, Carlo; Tarricone, Luciano; M., Baldini; Vantaggio, Salvatore. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 110:(2011), pp. 103704-1-103704-10. [10.1063/1.3662116]
Vertical transport through GaAs/InGaP multi-quantum-well p-i-n diode with evidence of tunneling effects
PARISINI, Antonella;GHEZZI, Carlo;TARRICONE, Luciano;VANTAGGIO, Salvatore
2011-01-01
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