Determination of the occupancy level of the DX center resonant with the conduction band in Te-doped AlGaSb / Ghezzi, C., Magnanini, R., Parisini, A., Franchi, S., Gombia, E., Mosca, R.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 91:(2002), pp. 3015-3020.
Determination of the occupancy level of the DX center resonant with the conduction band in Te-doped AlGaSb
GHEZZI, Carlo;MAGNANINI, Renato;PARISINI, Antonella;
2002-01-01
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