Determination of the occupancy level of the DX center resonant with the conduction band in Te-doped AlGaSb / Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Franchi, S; Gombia, E; Mosca, R.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 91:(2002), pp. 3015-3020.

Determination of the occupancy level of the DX center resonant with the conduction band in Te-doped AlGaSb

GHEZZI, Carlo;MAGNANINI, Renato;PARISINI, Antonella;
2002-01-01

2002
Determination of the occupancy level of the DX center resonant with the conduction band in Te-doped AlGaSb / Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Franchi, S; Gombia, E; Mosca, R.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 91:(2002), pp. 3015-3020.
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