IRIS

Sfoglia per Autore  

Opzioni
Mostrati risultati da 21 a 35 di 35
Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
In-plane electrical transport in n-type selectively doped GaSb/AlGaSb multiquantum wells 1-gen-2001 Ghezzi, Carlo; B., Cioce; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella
Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs 1-gen-2002 A., Carbognani; M., Longo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; E., Gombia
Determination of the occupancy level of the DX center resonant with the conduction band in Te-doped AlGaSb 1-gen-2002 Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Franchi, S; Gombia, E; Mosca, R.
Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs 1-gen-2003 Longo, M; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Carbognani, A; Bocchi, C; Gombia, E.
Effects of a resonant shallow state on the electrical properties of Te-doped AlxGa1-xSb 1-gen-2003 Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Gombia, E.; Mosca, R.
Electrical investigation of carbon intrinsic doped GaAs layers grown by MOVPE from TMGa and TBAs 1-gen-2003 Ghezzi, Carlo; Longo, M.; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Carbognani, A.; Bocchi, C.; Gombia, E.
Magneto-oscillations of the Hall coefficient in n-type GaSb at the extreme quantum limit 1-gen-2004 Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella
Effect of the growth sequence on the properties of InGaP/GaAs/InGaP quantum wells grown by LP-MOVPE from group-V mtallorganic source 1-gen-2004 Begotti, L; Longo, Massimo; Magnanini, R; Parisini, A; Tarricone, L.; Bocchi, C; Germini, Fabrizio; Lazzarini, Laura; Nasi, L; Geddo, M
“ELECTRICAL AND PHOTOELECTRICAL PROPERTIES OF A GAAS-BASED P-I-N STRUCTURE, GROWN AT LOW TEMPERATURE BY MOVPE, USING TBAS, FOR PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS”, 1-gen-2005 M., Begotti; M., Longo; Magnanini, Renato; L., Tarricone; E., Gombia; R., Mosca; M., Lynch; K., Barnham; M., Mazzer; G., Hill
Metal-insulator transition induced by the magnetic field in n-type GaSb, 1-gen-2005 Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella
Zinc doped GaAs epitaxial layers MOVPE grown by liquid metalorganic sources 1-gen-2005 Begotti, M.; Ghezzi, Carlo; Longo, M.; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Vantaggio, Salvatore
Non-linear electric field effects in the magnetoresistence of ntyoe GaSb. 1-gen-2006 C., Ghezzi; Magnanini, Renato; A., Parisini; M., Longo
Negative magnetoresistance effects in metallic n-type GaSb 1-gen-2007 Ghezzi, C.; Magnanini, R.; Parisini, A.
Determination of the valence band offset of MOVPE-grown InGaP/GaAs multiple quantum wells by admittance spectroscopy 1-gen-2008 Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; E., Gombia; M., Longo
Investigation of GaAs/InGaP superlattices for quantum well solar cells 1-gen-2008 Magnanini, R; Tarricone, Luciano; Parisini, Antonella; Longo, M; Gombia, E.
Mostrati risultati da 21 a 35 di 35
Legenda icone

  •  file ad accesso aperto
  •  file disponibili sulla rete interna
  •  file disponibili agli utenti autorizzati
  •  file disponibili solo agli amministratori
  •  file sotto embargo
  •  nessun file disponibile