“ELECTRICAL AND PHOTOELECTRICAL PROPERTIES OF A GAAS-BASED P-I-N STRUCTURE, GROWN AT LOW TEMPERATURE BY MOVPE, USING TBAS, FOR PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS”, / M., Begotti; M., Longo; Magnanini, Renato; L., Tarricone; E., Gombia; R., Mosca; M., Lynch; K., Barnham; M., Mazzer; G., Hill. - In: CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY. - ISSN 0232-1300. - 40 n°10-11:(2005), pp. 1033-al.
“ELECTRICAL AND PHOTOELECTRICAL PROPERTIES OF A GAAS-BASED P-I-N STRUCTURE, GROWN AT LOW TEMPERATURE BY MOVPE, USING TBAS, FOR PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS”,
MAGNANINI, Renato;
2005-01-01
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