Photoelectron Holographic Study for Atomic Site Occupancy for Si Dopants in Si-Doped κ-Ga2O3(001) / Tsai, Yuhua; Hashimoto, Yusuke; Sun, Zexu; Moriki, Takuya; Tadamura, Takashi; Nagata, Takahiro; Mazzolini, Piero; Parisini, Antonella; Bosi, Matteo; Seravalli, Luca; Matsushita, Tomohiro; Yamashita, Yoshiyuki. - In: NANO LETTERS. - ISSN 1530-6984. - (2024). [10.1021/acs.nanolett.4c00482]
Photoelectron Holographic Study for Atomic Site Occupancy for Si Dopants in Si-Doped κ-Ga2O3(001)
Mazzolini, Piero;Parisini, Antonella;Bosi, Matteo;
2024-01-01
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