Photoelectron Holographic Study for Atomic Site Occupancy for Si Dopants in Si-Doped κ-Ga2O3(001) / Tsai, Y., Hashimoto, Y., Sun, Z., Moriki, T., Tadamura, T., Nagata, T., Mazzolini, P., Parisini, A., Bosi, M., Seravalli, L., Matsushita, T., Yamashita, Y.. - In: NANO LETTERS. - ISSN 1530-6984. - 24:(2024), pp. 3978-3985. [10.1021/acs.nanolett.4c00482]
Photoelectron Holographic Study for Atomic Site Occupancy for Si Dopants in Si-Doped κ-Ga2O3(001)
Mazzolini, Piero;Parisini, Antonella;
2024-01-01
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