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EnglishUsing numerical simulations, we investigate the effect of a deep donor known to exist at EV + 1.33 eV, as a contribution to explain the large VOC deficit of Ga-rich absorbers.. We find that uniform GGI absorbers with GGI > 0.5 suffer for the presence of this deep donor, with the VOC deficit linearly increasing with GGI. On the other hand, simulations indicate that this deep donor is unlikely to be a significant performance limiter in double-graded cells.
On the effect of deep defects on the Voc deficit in high-GGI CIGS absorbers: A numerical study / Sozzi, G.; Menozzi, R.. - ELETTRONICO. - 2020 47TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)(2020), pp. 0759-0762. ((Intervento presentato al convegno 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, PVSC 2020 tenutosi a canada nel 2020 [10.1109/PVSC45281.2020.9300948].
| Titolo: | On the effect of deep defects on the Voc deficit in high-GGI CIGS absorbers: A numerical study | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2020 | |
| Serie: | ||
| Citazione: | On the effect of deep defects on the Voc deficit in high-GGI CIGS absorbers: A numerical study / Sozzi, G.; Menozzi, R.. - ELETTRONICO. - 2020 47TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC)(2020), pp. 0759-0762. ((Intervento presentato al convegno 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, PVSC 2020 tenutosi a canada nel 2020 [10.1109/PVSC45281.2020.9300948]. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11381/2888492 | |
| ISBN: | 978-1-7281-6115-0 | |
| Appare nelle tipologie: | 4.1b Atto convegno Volume |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11381/2888492
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