3× 1018 - 1 × 1019 cm -3 Al+ Ion Implanted 4H-SiC: Annealing Time Effect / Nipoti, Roberta; Parisini, Antonella; Boldrini, Virginia; Vantaggio, Salvatore; Canino, Mariaconcetta; Sanmartin, Michele; Alfieri, Giovanni. - 1004:(2020), pp. 683-688. (Intervento presentato al convegno 18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019) [10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.683].
3× 1018 - 1 × 1019 cm -3 Al+ Ion Implanted 4H-SiC: Annealing Time Effect
Parisini, Antonella;Vantaggio, Salvatore;
2020-01-01
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