3× 1018 - 1 × 1019 cm -3 Al+ Ion Implanted 4H-SiC: Annealing Time Effect / Nipoti, R., Parisini, A., Boldrini, V., Vantaggio, S., Canino, M., Sanmartin, M., Alfieri, G.. - 1004:(2020), pp. 683-688. (18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 ) [10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.683].

3× 1018 - 1 × 1019 cm -3 Al+ Ion Implanted 4H-SiC: Annealing Time Effect

Parisini, Antonella;Vantaggio, Salvatore;
2020-01-01

2020
3× 1018 - 1 × 1019 cm -3 Al+ Ion Implanted 4H-SiC: Annealing Time Effect / Nipoti, R., Parisini, A., Boldrini, V., Vantaggio, S., Canino, M., Sanmartin, M., Alfieri, G.. - 1004:(2020), pp. 683-688. (18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 ) [10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.683].
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