Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
IRIS
Ni/Al/Ti ohmic contacts with preserved form factor during alloying at 1000 °C, almost constant specific resistance value in the low 10-4 Ohmxcm2 decade, and a very weak temperature dependence in the range 25 - 290 °C, have been obtained on 1x 1020 cm-3 Al+implanted p-type 4H-SiC of different resistivity in the range 6 x10-2- 1 Ohmxcm2. A qualitative data analysis for understanding the hole transport mechanism through the formed metal/semiconductor interface is also shown.
Ni-Al-Ti ohmic contacts on 1 x1020 cm-3 Al+ ion implanted 4H-SiC / Nipoti, R.; Puzzanghera, M.; Canino, M. C.; Sozzi, G.. - In: ECS TRANSACTIONS. - ISSN 1938-6737. - 80:7(2017), pp. 117-122. [10.1149/08007.0117ecst]
Ni-Al-Ti ohmic contacts on 1 x1020 cm-3 Al+ ion implanted 4H-SiC
Ni/Al/Ti ohmic contacts with preserved form factor during alloying at 1000 °C, almost constant specific resistance value in the low 10-4 Ohmxcm2 decade, and a very weak temperature dependence in the range 25 - 290 °C, have been obtained on 1x 1020 cm-3 Al+implanted p-type 4H-SiC of different resistivity in the range 6 x10-2- 1 Ohmxcm2. A qualitative data analysis for understanding the hole transport mechanism through the formed metal/semiconductor interface is also shown.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11381/2836826
Citazioni
ND
2
0
social impact
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
