Microwave Annealing of High Dose Al+ implanted 4H-SiC: Towards Device Fabrication / Nath, A; Rao Mulpuri, V; Tian, Y. L.; Parisini, Antonella; Nipoti, Roberta. - In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 0361-5235. - 43:4(2014), pp. 843-849. [10.1007/s11664-013-2973-5]

Microwave Annealing of High Dose Al+ implanted 4H-SiC: Towards Device Fabrication

PARISINI, Antonella;NIPOTI , ROBERTA
2014-01-01

2014
Microwave Annealing of High Dose Al+ implanted 4H-SiC: Towards Device Fabrication / Nath, A; Rao Mulpuri, V; Tian, Y. L.; Parisini, Antonella; Nipoti, Roberta. - In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 0361-5235. - 43:4(2014), pp. 843-849. [10.1007/s11664-013-2973-5]
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/2762693
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 8
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 5
social impact