Conventional thermal annealing for a more efficient p-type doping of Al+ implanted 4H-SiC / Nipoti, R., Scaburri, R., Hallén, A., Parisini, A.. - In: JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH. - ISSN 0884-2914. - 28:1(2013), pp. 17-22. [10.1557/jmr.2012.207]
Conventional thermal annealing for a more efficient p-type doping of Al+ implanted 4H-SiC
R. Nipoti;PARISINI, Antonella
2013-01-01
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