Compact modeling of GaN HEMTs including temperature- and trap-related dispersive effects / D., M., Bernardoni, M., Sozzi, G., Menozzi, R., G. A., U.M., B. D., N.. - (2010), pp. 111-123. (Reliability of Compound Semiconductors Workshop Portland, OR (USA) May 17, 2010).
Compact modeling of GaN HEMTs including temperature- and trap-related dispersive effects
BERNARDONI, Mirko;SOZZI, Giovanna;MENOZZI, Roberto;
2010-01-01
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