Looking for an acceleration law for the high-field degradation of AlGaAs/GaAs power HFETs: can MOSFETs help? / Menozzi, R., Sozzi, G., E., T., D., D., C., L., C., C.. - (2000), pp. 101-116. (2000 GaAs Reliability Workshop Seattle, WA (USA) 5 Nov. 2000).
Looking for an acceleration law for the high-field degradation of AlGaAs/GaAs power HFETs: can MOSFETs help?
MENOZZI, Roberto;SOZZI, Giovanna;
2000-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.


