Experimental/numerical investigation of the physical mechanisms behind high-filed degradation of power HFETs and their implications on device design / R. Menozzi; G. Sozzi; G. Verzellesi; M. Borgarino; C. Lanzieri; C. Canali. - (2001), pp. 89-95. ((Intervento presentato al convegno 2001 GaAs Reliability Workshop tenutosi a Baltimore, MD (USA) nel 21 Oct. 2001.

Experimental/numerical investigation of the physical mechanisms behind high-filed degradation of power HFETs and their implications on device design

MENOZZI, Roberto;SOZZI, Giovanna;
2001

9780790800660
Experimental/numerical investigation of the physical mechanisms behind high-filed degradation of power HFETs and their implications on device design / R. Menozzi; G. Sozzi; G. Verzellesi; M. Borgarino; C. Lanzieri; C. Canali. - (2001), pp. 89-95. ((Intervento presentato al convegno 2001 GaAs Reliability Workshop tenutosi a Baltimore, MD (USA) nel 21 Oct. 2001.
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