Experimental/numerical investigation of the physical mechanisms behind high-filed degradation of power HFETs and their implications on device design / Menozzi, Roberto; Sozzi, Giovanna; G., Verzellesi; M., Borgarino; C., Lanzieri; C., Canali. - (2001), pp. 89-95. (Intervento presentato al convegno 2001 GaAs Reliability Workshop tenutosi a Baltimore, MD (USA) nel 21 Oct. 2001).
Experimental/numerical investigation of the physical mechanisms behind high-filed degradation of power HFETs and their implications on device design
MENOZZI, Roberto;SOZZI, Giovanna;
2001-01-01
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