Bias point dependence of the hot electron degradation of AlGaAs/GaAs power HFETs / R. MENOZZI; D. DIECI; M. MESSORI; SOZZI G.; C. LANZIERI; C. CANALI. - (1999), pp. 171-174. ((Intervento presentato al convegno IEEE GaAs IC Symposium tenutosi a Monterey, CA, USA nel 17 October 1999 through 20 October 1999.

Bias point dependence of the hot electron degradation of AlGaAs/GaAs power HFETs

MENOZZI, Roberto;SOZZI, Giovanna;
1999

0780355865
Bias point dependence of the hot electron degradation of AlGaAs/GaAs power HFETs / R. MENOZZI; D. DIECI; M. MESSORI; SOZZI G.; C. LANZIERI; C. CANALI. - (1999), pp. 171-174. ((Intervento presentato al convegno IEEE GaAs IC Symposium tenutosi a Monterey, CA, USA nel 17 October 1999 through 20 October 1999.
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