Bias point dependence of the hot electron degradation of AlGaAs/GaAs power HFETs / Menozzi, Roberto; D., Dieci; M., Messori; Sozzi, Giovanna; C., Lanzieri; C., Canali. - (1999), pp. 171-174. (Intervento presentato al convegno IEEE GaAs IC Symposium tenutosi a Monterey, CA, USA nel 17 October 1999 through 20 October 1999).
Bias point dependence of the hot electron degradation of AlGaAs/GaAs power HFETs
MENOZZI, Roberto;SOZZI, Giovanna;
1999-01-01
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