Bias point dependence of the hot electron degradation of AlGaAs/GaAs power HFETs / Menozzi, R., D., D., M., M., Sozzi, G., C., L., C., C.. - (1999), pp. 171-174. (IEEE GaAs IC Symposium Monterey, CA, USA 17 October 1999 through 20 October 1999).
Bias point dependence of the hot electron degradation of AlGaAs/GaAs power HFETs
MENOZZI, Roberto;SOZZI, Giovanna;
1999-01-01
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