The effect of gate and recess scaling on the gate-drain breakdown and hot-electron reliability of AlGaAs/GaAs power HFETs / R. MENOZZI; D. DIECI; SOZZI G.; T. TOMASI; C. LANZIERI. - (1999), pp. 64-70. ((Intervento presentato al convegno 1999 GaAs Reliability Workshop.

The effect of gate and recess scaling on the gate-drain breakdown and hot-electron reliability of AlGaAs/GaAs power HFETs

MENOZZI, Roberto;SOZZI, Giovanna;
1999

The effect of gate and recess scaling on the gate-drain breakdown and hot-electron reliability of AlGaAs/GaAs power HFETs / R. MENOZZI; D. DIECI; SOZZI G.; T. TOMASI; C. LANZIERI. - (1999), pp. 64-70. ((Intervento presentato al convegno 1999 GaAs Reliability Workshop.
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