The effect of gate and recess scaling on the gate-drain breakdown and hot-electron reliability of AlGaAs/GaAs power HFETs / Menozzi, Roberto; D., Dieci; Sozzi, Giovanna; T., Tomasi; C., Lanzieri. - (1999), pp. 64-70. (Intervento presentato al convegno 1999 GaAs Reliability Workshop).
The effect of gate and recess scaling on the gate-drain breakdown and hot-electron reliability of AlGaAs/GaAs power HFETs
MENOZZI, Roberto;SOZZI, Giovanna;
1999-01-01
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