CINECA IRIS Institutional Research Information System
IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.
EnglishThis work shows a detailed comparison of the degradation caused by off-state and on-state breakdown conditions in power AlGaAs/GaAs HFET's. Stress experiments carried out at gate-drain reverse currents up to 3.3 mA/mm (for a total of more than 700 h) show a remarkably larger degradation for the off-state stress, due to more pronounced electron heating at any fixed value of gate reverse current. The degradation modes include V-T and R-D increase and l(DSS) and g(m) reduction.
Degradation of AlGaAs/GaAs power HFET's under on-state and off-state breakdown conditions / DIECI D.; SOZZI G.; MENOZZI R.; LANZIERI C.; CETRONIO A.; CANALI C.. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 39(1999), pp. 1055-1060. [10.1016/S0026-2714(99)00146-8]
| Tipologia ministeriale: | Articolo su rivista | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11381/1457073
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