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This work shows a detailed comparison of the degradation caused by off-state and on-state breakdown conditions in power AlGaAs/GaAs HFET's. Stress experiments carried out at gate-drain reverse currents up to 3.3 mA/mm (for a total of more than 700 h) show a remarkably larger degradation for the off-state stress, due to more pronounced electron heating at any fixed value of gate reverse current. The degradation modes include V-T and R-D increase and l(DSS) and g(m) reduction.
Degradation of AlGaAs/GaAs power HFET's under on-state and off-state breakdown conditions / DIECI D.; SOZZI G.; MENOZZI R.; LANZIERI C.; CETRONIO A.; CANALI C.. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 39(1999), pp. 1055-1060. [10.1016/S0026-2714(99)00146-8]
Degradation of AlGaAs/GaAs power HFET's under on-state and off-state breakdown conditions
This work shows a detailed comparison of the degradation caused by off-state and on-state breakdown conditions in power AlGaAs/GaAs HFET's. Stress experiments carried out at gate-drain reverse currents up to 3.3 mA/mm (for a total of more than 700 h) show a remarkably larger degradation for the off-state stress, due to more pronounced electron heating at any fixed value of gate reverse current. The degradation modes include V-T and R-D increase and l(DSS) and g(m) reduction.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11381/1457073
Citazioni
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
