INFLUENCE OF MELT STOICHIOMETRY ON DEEP HOLE TRAPS IN N-TYPE LEC GALLIUM-ARSENIDE / Marrakchi, G; Kalboussi, A; Guillot, G; Alaya, S; Maaref, H; Fornari, R. - STAMPA. - (1992), pp. 223-228. (Intervento presentato al convegno SYMP ON NON-STOICHIOMETRY IN SEMICONDUCTORS, AT THE INTERNATIONAL CONF ON ADVANCED MATERIALS tenutosi a Strasburgo).
INFLUENCE OF MELT STOICHIOMETRY ON DEEP HOLE TRAPS IN N-TYPE LEC GALLIUM-ARSENIDE
FORNARI, RMembro del Collaboration Group
1992-01-01
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