Carrier Transport Mechanisms in Ion Implanted and Highly-Doped p-Type 4H-SiC(Al) / Parisini, Antonella; Nipoti, Roberta. - STAMPA. - 963:(2019), pp. 318-323. (Intervento presentato al convegno 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) tenutosi a Birmingham nel September 2-6, 2018) [10.4028/www.scientific.net/MSF.963.318].
Carrier Transport Mechanisms in Ion Implanted and Highly-Doped p-Type 4H-SiC(Al)
Parisini, Antonella
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2019-01-01
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